晶圓切割：從磨砂處理到芯片“誕生”
切割晶圓，“刀法”需精準。從磨砂到切割，再到檢測，晶圓變成單個芯片的過程是怎樣的？
晶圓切割的良率
晶圓的良率非常重要，它最終決定晶圓的成本以及能否量產(chǎn)。良率還需要細分為晶圓良率、裸片良率和封測良率，總良率就是這三種良率的總和。例如，如果晶圓廠的一條生產(chǎn)線上的每道工序的良率高達99%，那么600道工序后的整體良率是多少？答案是 0.24%，幾乎是 0。
從晶圓制造、中期測試、封裝到最終測試，每一步都會對良率產(chǎn)生影響。晶圓良率越高，在同一晶圓上可以生產(chǎn)出的芯片就越好。
晶圓良率受制程設(shè)備、原材料等因素影響較大，要獲得更高的晶圓良率，首先要穩(wěn)定制程設(shè)備，定期恢復制程能力。另外，環(huán)境因素對wafer、Die、封測良率這三個良率都有一定的影響。常見的環(huán)境因素包括灰塵、濕度、溫度和光線亮度。因此，芯片制造和封裝測試的過程需要在超潔凈的工作環(huán)境中進行。最后，還有技術(shù)成熟度的問題。一般情況下，新工藝出來時，良率會很低。隨著生產(chǎn)的推進和導致良率低的因素被發(fā)現(xiàn)和改進，良率將不斷提高。
如何控制晶圓良率
對于晶圓制造實際生產(chǎn)線來說，每臺制造設(shè)備的穩(wěn)定性都是非常重要的。如何減少晶圓切割損耗，降低成本，保證良率？
在大理石精密平臺研發(fā)和制造方面，國內(nèi)企業(yè)克洛諾斯走在行業(yè)前列?？寺逯Z斯匯聚了行業(yè)精英人才，擁有現(xiàn)代化的管理方式，在2021年，成功研發(fā)一臺超精密氣浮運動平臺，重復定位精度達±50nm，可應用于晶圓切割工藝中。
克洛諾斯±50nm氣浮運動平臺是定位晶圓或芯片的部件設(shè)備，具有配套的精密移動定位功能，主要特點：自主研發(fā)、重復定位精度 ±50nm、具有極高的精度和穩(wěn)定性。晶圓的切割技術(shù)對提高成品率和封裝效率有著重要影響，同時晶圓的大小也影響IC的成本，晶圓越大，對劃片（切割）設(shè)備的精度要求也越高。
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